Reduction en the crystal defect density of ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy



Document title: Reduction en the crystal defect density of ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000171480
ISSN: 0035-001X
Authors: 1





Institutions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
2Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Ivestigación en Comunicación Optica, San Luis Potosí. México
Year:
Season: Nov
Volumen: 46
Pages: 148-152
Country: México
Language: Inglés
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física,
Física de materia condensada,
Cristales,
Densidad de defectos,
Capas,
Haces moleculares,
Epitaxia,
Películas delgadas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Crystals,
Defect density,
Layers,
Molecular beams,
Epitaxy,
Thin films
Document request
Note: The document is shipping cost.









Original documents can be consulted at the Departamento de Información y Servicios Documentales, located in the Annex to the General Directorate of Libraries (DGB), circuito de la Investigación Científica across from the Auditorium Nabor Carrillo, located between the Institutes of Physics and Astronomy. Ciudad Universitaria UNAM. Show map
For more information: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964. E-mail: sinfo@dgb.unam.mx . Monday to Friday from (8 to 16 hrs).