Reduction en the crystal defect density of ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy
Título del documento: Reduction en the crystal defect density of ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000171480
ISSN: 0035-001X
Autors: 1
Institucions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
2Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Instituto de Ivestigación en Comunicación Optica, San Luis Potosí. México
Any:
Període: Nov
Volum: 46
Paginació: 148-152
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física,
Física de materia condensada,
Cristales,
Densidad de defectos,
Capas,
Haces moleculares,
Epitaxia,
Películas delgadas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Crystals,
Defect density,
Layers,
Molecular beams,
Epitaxy,
Thin films
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