Estudio del crecimiento epitaxial de un semiconductor sobre otro
Document title: Estudio del crecimiento epitaxial de un semiconductor sobre otro
Journal: Revista mexicana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000171455
ISSN: 0035-001X
Authors: 1
2
Institutions: 1Universidad de Sonora, Departamento de Física, Hermosillo, Sonora. México
2Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Ensenada, Baja California. México
Year:
Season: Nov
Volumen: 46
Pages: 84-87
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Analítico
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Física,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Heteroestructuras,
Funcional de densidad,
Arsénico,
Silicio,
Superficies,
Germanio
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Semiconductors,
Heterostructures,
Density-functional,
Arsenic,
Silicon,
Surfaces,
Germanium
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