Estudio del crecimiento epitaxial de un semiconductor sobre otro
Título del documento: Estudio del crecimiento epitaxial de un semiconductor sobre otro
Revista: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000171455
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
2
Instituciones: 1Universidad de Sonora, Departamento de Física, Hermosillo, Sonora. México
2Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Ensenada, Baja California. México
Año:
Periodo: Nov
Volumen: 46
Paginación: 84-87
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física,
Física de materia condensada,
Semiconductores,
Heteroestructuras,
Funcional de densidad,
Arsénico,
Silicio,
Superficies,
Germanio
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Semiconductors,
Heterostructures,
Density-functional,
Arsenic,
Silicon,
Surfaces,
Germanium
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)