Journal: | Revista mexicana de física |
Database: | PERIÓDICA |
System number: | 000327633 |
ISSN: | 0035-001X |
Authors: | Dávalos–Santana, M.A1 Sandoval–Ibarra, F1 Montoya–Suárez, E1 |
Institutions: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Guadalajara, Jalisco. México |
Year: | 2007 |
Season: | Jun |
Volumen: | 53 |
Number: | 3 |
Pages: | 218-221 |
Country: | México |
Language: | Inglés |
Document type: | Artículo |
Approach: | Analítico, descriptivo |
Spanish abstract | En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campos magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 µm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540/µT–1 |
English abstract | This paper describes an MOS transistor–based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 µm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540/µT –1 at room temperature |
Disciplines: | Física y astronomía, Ingeniería |
Keyword: | Física de materia condensada, Ingeniería electrónica, Dispositivos semiconductores, Dispositivos de efecto de campo, Microelectrónica |
Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Semiconductor devices, field effect devices, Microelectronics |
Full text: | Texto completo (Ver HTML) |