| Revista: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000327633 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autores: | Dávalos–Santana, M.A1 Sandoval–Ibarra, F1 Montoya–Suárez, E1 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Guadalajara, Jalisco. México |
| Año: | 2007 |
| Periodo: | Jun |
| Volumen: | 53 |
| Número: | 3 |
| Paginación: | 218-221 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campos magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 µm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540/µT–1 |
| Resumen en inglés | This paper describes an MOS transistor–based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 µm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540/µT –1 at room temperature |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería electrónica, Dispositivos semiconductores, Dispositivos de efecto de campo, Microelectrónica |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Electronic engineering, Semiconductor devices, field effect devices, Microelectronics |
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