Sobre la determinación del voltaje umbral en transistores MOS implantados
Document title: Sobre la determinación del voltaje umbral en transistores MOS implantados
Journal: Revista cubana de física
Database: PERIÓDICA
System number: 000069383
ISSN: 0253-9268
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Nacional de Sistemas Automatizados y Técnicas en Computación, La Habana. Cuba
Year:
Volumen: 4
Number: 2
Pages: 71-82
Country: Cuba
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Física y astronomía
Keyword: Electromagnetismo,
Transistores mos,
Voltaje umbral,
Simulacion electronica-program,
Determinación
Keyword: Physics and astronomy,
Electromagnetism,
Transistors-mos,
Threshold voltage,
Electronic simulation-programs,
Determination
Document request
Note: The document is shipping cost.









Original documents can be consulted at the Departamento de Información y Servicios Documentales, located in the Annex to the General Directorate of Libraries (DGB), circuito de la Investigación Científica across from the Auditorium Nabor Carrillo, located between the Institutes of Physics and Astronomy. Ciudad Universitaria UNAM. Show map
For more information: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964. E-mail: sinfo@dgb.unam.mx . Monday to Friday from (8 to 16 hrs).