Sobre la determinación del voltaje umbral en transistores MOS implantados
Título del documento: Sobre la determinación del voltaje umbral en transistores MOS implantados
Revista: Revista cubana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000069383
ISSN: 0253-9268
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Nacional de Sistemas Automatizados y Técnicas en Computación, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 4
Número: 2
Paginación: 71-82
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Electromagnetismo,
Transistores mos,
Voltaje umbral,
Simulacion electronica-program,
Determinación
Keyword: Physics and astronomy,
Electromagnetism,
Transistors-mos,
Threshold voltage,
Electronic simulation-programs,
Determination
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