| Revista: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274679 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autores: | Ramírez Jiménez, Francisco Javier1 |
| Instituciones: | 1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Departamento de Diseño, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 1996 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 18 |
| Paginación: | 393-398 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Aplicado |
| Resumen en español | Se presenta el análisis y diseño de un preamplificador sensible a carga para detectores de radiación de barrera superficial o foto-diodos PIN (P region - Insulator - N region) de àrea grande utilizados en la detección de partículas alfa. El circuito propuesto aprovecha las caraterísticas de bajo ruido a la entrada de un transistor de efecto de campo y la alta impedancia de entrada de un amplificador operacional, para constituir un amplificador con retroalimentación sensible a carga. Para la construcción del circuito se utilizan componentes convencionales, de bajo costo, siendo características equivalentes a unidades comerciales |
| Resumen en inglés | The analysis and design of a charge sensitive preamplifier is shown, it can be used in the detection of alpha particles with surface barrier detectors or large area PIN photo-diodes. The proposed circuit uses the low noise input charcateristics of a field effect transistor, FET, and the high impedance of an operational amplifier to build a charge sensitive feedback amplifier. Low cost and conventional components are used in the circuit that can be easily reproduced, with equivalent characteristics to commercial units |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Preamplificadores, Espectrometría, Fotodiodos, Transistores, Bajo ruido |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Preamplifiers, Spectrometry, Photodiodes, Transistors, Low noise |
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