Tratamientos termicos de activacin para la implantacion de fosforo sobre silicio
Título del documento: Tratamientos termicos de activacin para la implantacion de fosforo sobre silicio
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000100159
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Combinado Electronico Ernesto Che Guevara, Pinar del Río. Cuba
Año:
Volumen: 9
Número: 1
Paginación: 37-42
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Teórico, experimental
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Electromagnetismo,
Ingeniería electrónica,
Semiconductores,
Iones-implantacion,
Fósforo,
Silicio,
Circuitos integrados
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Electromagnetism,
Electronic engineering,
Semiconductors,
Ions implantation,
Phosphorus,
Silicon,
Integrated circuits
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