Programa para el diseno tecnologico de transistores bipolares
Título del documento: Programa para el diseno tecnologico de transistores bipolares
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000086143
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica Cibernetica Comunicaciones, Ctr Inv Microelectronica, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 8
Número: 4
Paginación: 329-333
País: Cuba
Tipo de documento: Reporte técnico
Enfoque: Descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Ciencia y tecnología
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Tecnología,
Circuitos integrados,
Transistores,
Oxidación
Keyword: Engineering,
Science and technology,
Electrical engineering,
Technology,
Integrated circuits,
Transistors,
Oxidation
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