La estructura mos compuerta de silicio. Contaminacion y estados superficiales
Document title: La estructura mos compuerta de silicio. Contaminacion y estados superficiales
Journal: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Database: PERIÓDICA
System number: 000044568
ISSN: 0258-5944
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Electrónica, Cibernética y Comunicaciones, La Habana. Cuba
Year:
Season: Feb-May
Volumen: 4
Number: 1
Pages: 71-83
Country: Cuba
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Ingeniería,
Física y astronomía
Keyword: Ingeniería de control,
Ingeniería electrónica,
Ingeniería metalúrgica,
Física de materia condensada,
Compuerta electronica,
Contaminación,
Estado superficial,
MOS,
Semiconductores,
Silicio
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Control engineering,
Electronic engineering,
Metallurgical engineering,
Condensed matter physics,
Ionic contamination,
Locks-electronic,
Mos,
Semiconductors,
Silicon,
Stages-superficial
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