La estructura mos compuerta de silicio. Contaminacion y estados superficiales
Título del documento: La estructura mos compuerta de silicio. Contaminacion y estados superficiales
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000044568
ISSN: 0258-5944
Autors: 1
Institucions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Facultad de Electrónica, Cibernética y Comunicaciones, La Habana. Cuba
Any:
Període: Feb-May
Volum: 4
Número: 1
Paginació: 71-83
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplines Ingeniería,
Física y astronomía
Paraules clau: Ingeniería de control,
Ingeniería electrónica,
Ingeniería metalúrgica,
Física de materia condensada,
Compuerta electronica,
Contaminación,
Estado superficial,
MOS,
Semiconductores,
Silicio
Keyword: Engineering,
Physics and astronomy,
Control engineering,
Electronic engineering,
Metallurgical engineering,
Condensed matter physics,
Ionic contamination,
Locks-electronic,
Mos,
Semiconductors,
Silicon,
Stages-superficial
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