Influencia del estado de carga de los centros de recombinacion en la fotosensibilidad de los semiconductores
Título del documento: Influencia del estado de carga de los centros de recombinacion en la fotosensibilidad de los semiconductores
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000084131
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Odessa Mechnikov State Univ, Lab Semiconductors, Odessa, Ucrania. Unión Soviética
Año:
Volumen: 8
Número: 3
Paginación: 205-208
País: Cuba
Tipo de documento: Reporte técnico
Enfoque: Descriptivo
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Optica,
Carga-portadores,
Semiconductores,
Fotosensibilidad
Keyword: Physics and astronomy,
Optics,
Charge carriers,
Semiconductors,
Photosensibility
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