Influencia del diodo schottky en el tiempo de almacenamiento de un transistor bipolar
Document title: Influencia del diodo schottky en el tiempo de almacenamiento de un transistor bipolar
Journal: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Database: PERIÓDICA
System number: 000051300
ISSN: 0258-5944
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica, La Habana. Cuba
Year:
Season: Mar
Volumen: 2
Number: 1
Pages: 16-23
Country: Cuba
Document type: Artículo
Approach: Experimental
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería electrónica,
Diodos,
Schottky,
Transitor bipolar
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Diodes,
Schottky,
Transistor-bipolar
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