Crecimiento epitaxial de GaAs: generación de conocimientos, patentes y su explotación comercial
Document title: Crecimiento epitaxial de GaAs: generación de conocimientos, patentes y su explotación comercial
Journal: Avance y perspectiva
Database: PERIÓDICA
System number: 000116418
ISSN: 0185-1411
Authors: 1
Institutions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
Year:
Season: May-Jun
Number: 12
Pages: 185-188
Country: México
Language: Español
Document type: Artículo
Approach: Descriptivo
Disciplines: Ingeniería
Keyword: Ingeniería eléctrica,
Ingeniería electrónica,
Galio-arseniuro,
Capas epitaxiales,
Semiconductores,
Circuitos integrados
Keyword: Engineering,
Electrical engineering,
Electronic engineering,
Gallium arsenide,
Epitaxial layers,
Semiconductors,
Integrated circuits
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