Revista: | Avance y perspectiva |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000116418 |
ISSN: | 0185-1411 |
Autores: | Mimila Arroyo, J1 |
Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
Año: | 1993 |
Periodo: | May-Jun |
Número: | 12 |
Paginación: | 185-188 |
País: | México |
Idioma: | Español |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Descriptivo |
Disciplinas: | Ingeniería |
Palabras clave: | Ingeniería eléctrica, Ingeniería electrónica, Galio-arseniuro, Capas epitaxiales, Semiconductores, Circuitos integrados |
Keyword: | Engineering, Electrical engineering, Electronic engineering, Gallium arsenide, Epitaxial layers, Semiconductors, Integrated circuits |
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