Brazilian journal of physics (2694 documentos)


2541.-
2542.-
2543.-
2544.-
Electronic states and optical absorption in strained heterostructures under external electric field
Cohen, A.M1; Marques, G.E2
1Universidade do Amazonas, Departamento de Física, Manaus, Amazonas. Brasil; 2Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 230-241]

2545.-
2546.-
Electron - phonon effects on transport in mesoscopic heterostructures
Anda, A.V1; Makler, S.S; Barrera, R.G; Pastawski, H.M
1Universidade Federal Fluminense, Instituto de Física, Niteroi, Rio de Janeiro. Brasil; 2Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química, Santa Fe. Argentina; 3Universidad Nacional Autónoma de México, Facultad de Ciencias, Departamento de Física, México, Distrito Federal. México
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 330-336]

2547.-
Electrons in non-homogeneous magnetic fields
Matulis, A1; Peeters, F
1University of Amberes, Dept Natuurkunde, Amberes. Bélgica
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 283-296]

2548.-
2549.-
2550.-
2551.-
Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures
Chitta, V.A1
1Universite de Grenoble I, Laboratoire de Spectrometrie Physique, Grenoble, Isere. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 133-144]

2552.-
2553.-
Fermion - chern - simons theory of half - filled landau level
Halperin, B.I1
1Harvard University, Physics Department, Cambridge, Massachusetts. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 113-120]

2554.-
Fermi surface study of spike doped gaas superlattices
Shibli, S.M1; Henriques, A.B
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 254-259]

2555.-
2556.-
2557.-
GaAs based type II heterostructures
Planel, R1
1Centre National de la Recherche Scientifique, Lab Microstructures Microelectronique, Bagneux, Hauts-de-Seine. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 127-0132]

2558.-
2559.-
Ground - and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Silva, A.F1; Hipolito, O2
1Universidade de Sao Paulo, Inst Fisica Quimica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; 2Instituto de Pesquisas Espaciais, Lab Associado Sensores Materiais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 399-401]

2560.-
Growth and characterization of nanostructures of III-IV compound semiconductors
Oliveira, A.G1
1Universidade Federal de Minas Gerais, Instituto de Ciencias Exatas, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1994 Vol. 24 Num. 1 Mar, Pàg. 67-76]