Fractal origin of the thermal oxidation of silicon
Título del documento: Fractal origin of the thermal oxidation of silicon
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007971
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade Federal de Pernambuco, Instituto de Física, Recife, Pernambuco. Brasil
Any:
Període: Mar
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 430-433
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Química,
Física y astronomía
Paraules clau: Fisicoquímica y química teórica,
Física de materia condensada,
Capas,
Silicio,
Difusión,
Oxidación,
Fractales
Keyword: Chemistry,
Physics and astronomy,
Physical and theoretical chemistry,
Condensed matter physics,
Layers,
Silicon,
Fractals,
Oxidation,
Diffusion
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