Ground - and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Título del documento: Ground - and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007965
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
2
Institucions: 1Universidade de Sao Paulo, Inst Fisica Quimica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
2Instituto de Pesquisas Espaciais, Lab Associado Sensores Materiais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
Any:
Període: Mar
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 399-401
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Bandas,
Silicio,
Impurezas,
Transporte,
Capas-inversion,
Estados excitados
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Bands,
Silicon,
Transport,
Impurities,
Excited states,
Layers-inversion
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