Electronic raman scattering on modulation doped gaas quantum wells : conduction band structure and collective effects
Título del documento: Electronic raman scattering on modulation doped gaas quantum wells : conduction band structure and collective effects
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000007922
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Cnet, Lab Bagneux, Bagneux, Hauts-de-Seine. Francia
Any:
Període: Mar
Volum: 24
Número: 1
Paginació: 121-126
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física,
Física de materia condensada,
Raman,
Dispersión,
Pozos cuánticos,
Banda de conducción,
Heteroestructuras,
Electrones
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Physics,
Raman,
Scattering,
Quantum wells,
Conduction band,
Heterostructures,
Electron distribution
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)