GaN growth on (111) very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
Título del documento: GaN growth on (111) very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252136
ISSN: 1665-3521
Autores: 1
2
Instituciones: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
2Osaka Institute of Technology, Asahi-ku, Osaka. Japón
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 13
Paginación: 80-88
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Películas,
Nitruro de galio,
Estructura
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Films,
Gallium nitride,
Structure
Solicitud del documento
Nota: El envío del documento tiene costo.









Los documentos originales pueden ser consultados en el Departamento de Información y Servicios Documentales, ubicado en el Anexo de la Dirección General de Bibliotecas (DGB), circuito de la Investigación Científica a un costado del Auditorio Nabor Carrillo, zona de Institutos entre Física y Astronomía. Ciudad Universitaria UNAM. Ver mapa
Mayores informes: Departamento de Información y Servicios Documentales, Tels. (5255) 5622-3960, 5622-3964, e-mail: sinfo@dgb.unam.mx, Horario: Lunes a viernes (8 a 16 hrs.)