GaN growth on (111) very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
Título del documento: GaN growth on (111) very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
Revista: Superficies y vacío
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000252136
ISSN: 1665-3521
Autors: 1
2
Institucions: 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México
2Osaka Institute of Technology, Asahi-ku, Osaka. Japón
Any:
Període: Dic
Volum: 13
Paginació: 80-88
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplines Ingeniería
Paraules clau: Ingeniería de materiales,
Películas,
Nitruro de galio,
Estructura
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Films,
Gallium nitride,
Structure
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