| Revista: | Computational & applied mathematics |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000310689 |
| ISSN: | 0101-8205 |
| Autores: | Leitao, Antonio1 |
| Instituciones: | 1Universidade Federal de Santa Catarina, Departamento de Matematica, Florianopolis, Santa Catarina. Brasil |
| Año: | 2006 |
| Volumen: | 25 |
| Número: | 2-3 |
| Paginación: | 187-203 |
| País: | Brasil |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en inglés | We investigate the problem of identifying discontinuous doping profiles in semiconductor devices from data obtained by the stationary voltage-current (VC) map. The related inverse problem correspond to the inverse problem for the Dirichlet-to-Neumann (DN) map with partial data |
| Disciplinas: | Ingeniería, Matemáticas |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Matemáticas aplicadas, Semiconductores, Dopaje inverso, Modelo bipolar |
| Keyword: | Engineering, Mathematics, Materials engineering, Applied mathematics, Semiconductors, Inverse doping, Bipolar model |
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