Semiconductors and Dirichlet-to-Neumann maps



Título del documento: Semiconductors and Dirichlet-to-Neumann maps
Revista: Computational & applied mathematics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000310689
ISSN: 0101-8205
Autores: 1
Instituciones: 1Universidade Federal de Santa Catarina, Departamento de Matematica, Florianopolis, Santa Catarina. Brasil
Año:
Volumen: 25
Número: 2-3
Paginación: 187-203
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en inglés We investigate the problem of identifying discontinuous doping profiles in semiconductor devices from data obtained by the stationary voltage-current (VC) map. The related inverse problem correspond to the inverse problem for the Dirichlet-to-Neumann (DN) map with partial data
Disciplinas: Ingeniería,
Matemáticas
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Matemáticas aplicadas,
Semiconductores,
Dopaje inverso,
Modelo bipolar
Keyword: Engineering,
Mathematics,
Materials engineering,
Applied mathematics,
Semiconductors,
Inverse doping,
Bipolar model
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