| Revista: | Tepexi boletín científico de la escuela superior tepeji del río |
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| Número de sistema: | 000585899 |
| ISSN: | 2007-7629 |
| Autores: | G. Hernández, Angélica1 Kudriavtsev, Yuriy1 |
| Instituciones: | 1CINVESTAV-IPN, |
| Año: | 2018 |
| Volumen: | 5 |
| Número: | 10 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Resumen en español | En este trabajo se llevó a cabo el estudio de la interacción entre iones de baja energía (25 keV) y semiconductores, así como sus aplicaciones en nano-electrónica. El estudio se concentró en uno de los efectos que resultan de la interacción entre un haz de iones y un sólido: la implantación iónica. Para realizar este estudio se utilizó como ion primario el silicio con carga positiva (Si+) para implantar una oblea comercial de germanio (Ge). Las muestras implantadas fueron posteriormente tratadas térmicamente, después se caracterizaron para determinar sus propiedades, químicas, estructurales, morfológicas y ópticas. Los resultados sugieren potenciales aplicaciones para fabricar dispositivos emisores de luz. |
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