| Revista: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000365822 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Guarneros, C1 Sánchez, V2 |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Puebla. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2012 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 25 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 223-225 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en inglés | Mg-doped GaN epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have been investigated by Photoluminescence, Raman scattering and X-ray Diffraction in the as-grown condition and after annealing. The photoluminescence measurement showed 2.9 eV band associated with the optical transitions from the conduction band to the Mg acceptor. Raman spectra shows local vibrational modes at 647.73 cm-1 and 265 cm-1 related to a local vibrational mode (LVM) of magnesium in GaN and as evidence of p-type character, respectively. The XRD analysis was employed to study the structure of the films |
| Disciplinas: | Ingeniería, Química |
| Palabras clave: | Ingeniería de materiales, Nitruro de galio, Dopaje, Fotoluminiscencia, Dispersión Raman |
| Keyword: | Engineering, Chemistry, Materials engineering, Gallium nitride, Doping, Photoluminescence, Raman scattering |
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