| Revue: | Superficies y vacío |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000404884 |
| ISSN: | 1665-3521 |
| Autores: | Zapata Torres, M1 Peña, J.L1 Calzadilla Amaya, O1 Castro Rodríguez, R2 Meléndez Lira, M3 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Altamira, Tamaulipas. México 2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Mérida, Yucatán. México 3Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, México, Distrito Federal. México |
| Año: | 2003 |
| Periodo: | Mar |
| Volumen: | 16 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 40-44 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Películas delgadas de CdSxTe1-x fueron crecidas en substratos de vidrio utilizando la técnica transporte de vapor en espacio reducido combinada con evaporación libre (CSVT-FE, por sus siglas en ingles) usando la coevaporación de CdTe y CdS. La incorporación del S fue controlada por medio de la temperatura de la fuente de CdS. La difracción de rayos-x fue utilizada para evaluar la estructura cristalográfica de los compuestos formados en las diferentes composiciones. Se encontró que las muestras tienen una estructura cúbica, para 0<x<1. Con el objetivo de identificar los picos del difractograma, se calcularon como varían las intensidades de los picos de difracción al ir sustituyendo el S por Te. Así como la variación de la posición de los picos, con respecto a la fracción molar de CdS |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Ingeniería de energéticos, Ingeniería de materiales, Películas delgadas, Difracción de rayos X, Semiconductores, Telurio, Cadmio, Azufre |
| Keyword: | Physics and astronomy, Engineering, Condensed matter physics, Energy engineering, Materials engineering, Thin films, X-ray diffraction, Semiconductors, Tellurium, Cadmium, Sulfur |
| Texte intégral: | Texto completo (Ver PDF) |
