Fotoluminescencia do InGaAs/InP crescido pela tecnica de epitaxia por feixe molecular



Título del documento: Fotoluminescencia do InGaAs/InP crescido pela tecnica de epitaxia por feixe molecular
Revue: Semina. Ciencias exatas e tecnologicas
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000260331
ISSN: 1676-5451
Autores: 1
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Instituciones: 1Universidade Estadual de Londrina, Londrina, Parana. Brasil
2Universidade Federal de Minas Gerais, Londrina, Parana. Brasil
3Universidade Federal de Minas Gerais, Departamento de Fisica, Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil
Año:
Periodo: Jul-Dic
Volumen: 25
Número: 2
Paginación: 183-196
País: Brasil
Idioma: Portugués
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Descriptivo
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de partículas y campos cuánticos,
Optica,
Fotoluminiscencia,
InGaAs/InP,
Temperatura,
Potencial de excitación
Keyword: Physics and astronomy,
Optics,
Particle physics and quantum fields,
Photoluminescence,
InGaAs/InP,
Temperature,
Excitation power
Texte intégral: Texto completo (Ver PDF)