| Revue: | Revista mexicana de física |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000447267 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Autores: | Obregón, O1 Luna López, J.A1 Rosales, P2 Domínguez, M.A |
| Instituciones: | 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Ciencias, Puebla. México 2Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Departamento de Electrónica, Puebla. México |
| Año: | 2021 |
| Periodo: | Jul-Ago |
| Volumen: | 67 |
| Número: | 4 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, teórico |
| Resumen en español | En este artículo, se reporta la fabricación de transistores de película delgada con óxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plástico por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. La máxima temperatura de fabricación fue de 200o C. Spin-on glass fue usado como dieléctrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plástico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2/Vs y un voltaje de umbral de 10.5 V, mientras la relación de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dieléctrico/semiconductor es calculada. Además, capacitores metal-dieléctrico-metal fueron fabricados sobre plástico y caracterizados para evaluar el desempeño del dieléctrico de compuerta |
| Resumen en inglés | In this work, the fabrication of zinc oxide thin film transistors (ZnO TFTs) on plastic substrates by High-frequency Ultrasonic Spray Pyrolysis at Low Temperature is presented. The maximum fabrication temperature was 200◦C. Spin-on glass was used as gate insulator. Polyethylene terephthalate is used as plastic substrate. The ZnO TFTs exhibit an electron mobility of 1.25 cm2/Vs and a threshold voltage of 10.5 V, while the on/off current ratio was of 104. In addition, the trap density in active layer and at the insulator/semiconductor interface is extracted. Moreover, Metal-Insulator-Metal capacitors were fabricated on plastic and characterized in order to evaluate the gate insulator |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física, Transistores de película delgada, Oxido de Zinc, Pirólisis por pulverización ultrasónica, Spin-on glass, Electrónica flexible |
| Keyword: | Physics, Thin-film transistors, Zinc oxide, Ultrasonic spray pyrolysis, Spin-on glass, Flexible electronics |
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