Thermalization process of a photo-generated plasma in semiconductors



Título del documento: Thermalization process of a photo-generated plasma in semiconductors
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000186742
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
2
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física, Puebla. México
2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, Distrito Federal. México
Año:
Periodo: Feb
Volumen: 48
Número: 1
Paginación: 52-60
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Nota breve o noticia
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español Se estudia la cinética de los procesos ultrarrápidos que llevan a la condición de termalización de un plasma fotoexcitado en sistemas semiconductores. Analizamos la evolución temporal de una población generada por un pulso óptico finito, desde el comienzo del pulso hasta el tiempo en el que la población alcanza una condición de cuasi equilibrio. Calculamos los flujos de energía causados por los mecanismos principales de interacción a lo largo de las diferentes etapas por las que pasa el sistema. Hacemos nuestro análisis usando un conjunto no lineal de ecuaciones de razón de cambio que gobiernan la evolución temporal de la población de portadores en el espacio de energías. Consideramos los mecanismos principales de interacción, incluyendo el apantallamiento dinámico y los efectos de población de fonones
Resumen en inglés The kinetics of ultra-fast processes which leads to the thermalization condition of a photo-excited plasma in semiconductor systems is studied theoretically. We analyze the time evolution of a carrier population generated by a finite optical pulse, from the beginning of the pulse until the time in which the carrier population reaches a quasi-equilibrium condition. We calculate the energy fluxes caused by the main interaction mechanisms along the different stages the system passes through. Our analysis is done by using a set of non-linear rate equations which govern the time evolution of the carrier population in the energy space. We consider the main interaction mechanisms, including dynamic screening and phonon population effects
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Teoría cinética y plasmas,
Plasma,
Termalización,
Semiconductores,
Procesos ultrarrápidos,
Cinética
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Kinetic theory and plasma,
Plasma,
Thermalization,
Semiconductors,
Ultrafast processes,
Kinetics
Texte intégral: Texto completo (Ver PDF)