On the crystal structure of the ordered vacancy compound Cu3In5Te9



Título del documento: On the crystal structure of the ordered vacancy compound Cu3In5Te9
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000438853
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
1
2
Instituciones: 1Universidad de Los Andes, Facultad de Ciencias, Mérida. Venezuela
2Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas, Ciudad de México. México
Año:
Periodo: Jul-Ago
Volumen: 65
Número: 4
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en inglés The crystal structure of the ordered vacancy compound (OVC) Cu3In5Te9 was analyzed using powder X-ray diffraction data. Several structural models were derived from the structure of the Cu-poor Cu-In-Se compound β-Cu0.39In1.2Se2 by permuting the cations in the available site positions. The refinement of the best model by the Rietveld method in the tetragonal space group P42c (N° 112), with unit cell parameters a = 6.1852(2) Å, c = 12.3633(9) Å, V = 472.98(4) Å3, led to Rp = 7.1 %, Rwp = 8.5 %, Rexp = 6.4 %, S = 1.3 for 162 independent reflections. This model has the following Wyckoff site atomic distribution: Cu1 in 2e (0,0,0); In1 in 2f (1/2,1/2,0), In2 in 2d (0,1/2,1/4); Cu2-In3 in 2b (1/2,0,1/4); in 2a (0,0,1/4); Te in 8n (x, y, z)
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Compuesto de vacantes ordenado,
Estructura cristalina,
Difracción de rayos X en polvo,
Refinamiento de Rietveld
Keyword: Physics,
Semiconductors,
Ordered vacancy compound,
Crystal structure,
X-ray powder diffraction,
Rietveld refinement
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