Medición de temperatura usando un VCO integrado en silicio



Título del documento: Medición de temperatura usando un VCO integrado en silicio
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000347314
ISSN: 0035-001X
Autores: 1
2
2
Instituciones: 1Universidad Autónoma de Nayarit, Area de Ciencias Básicas e Ingenierías, Tepic, Nayarit. México
2Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Zapopan, Jalisco. México
Año:
Periodo: Dic
Volumen: 57
Número: 6
Paginación: 535-540
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico, teórico
Resumen en español La frecuencia de oscilacion f0 de un VCO current-starved es usada para sensar temperatura en el rango de 20 a 99±C. Debido a que la frecuencia f0 es directamente proporcional a la corriente de cortocircuito de la celda basica de construccion (compuerta NOT), y considerando que esta corriente, ISHORT, es directamente proporcional a la movilidad de portadores, es posible explicar como es que f0 varıa con cambios en la temperatura, T. El diseno del oscilador, manufacturado en una tecnologıa CMOS, pozo N, 0.5 ¹m, 5V, permite su integracion con circuitos digitales de acondicionamiento cuyo principio basico de operacion es la medicion de la frecuencia en intervalos de 53 ms; esta ventana de tiempo es resultado del ajuste lineal (con un coeficiente de correlaci on r=0.996) aplicado a la caracterıstica f0 vs. T
Resumen en inglés The oscillation frequency f0 of a VCO current-starved has been used for sensing temperature ranging from 20 to 99±C. Since f0 is directly proportional to the short-circuit current of the basic cell delay (NOT gate), and taking into account that this current, ISHORT, is directly proportional to the carrier mobility, it is possible to explain how f0 changes as temperature, T, changes too. This oscillator that was manufactured in a CMOS standard process, N-well, 0.5 ¹m, 5 V, facilitates the integration of circuitry conditioning, which means the feasibility of integrating the whole sensor system in a chip. Digital circuit measures the frequency f0 each 53 ms because the measure step is deduced from the linear fitting applied to the f0 vs. T characteristic
Disciplinas: Física y astronomía,
Ingeniería
Palabras clave: Física,
Ingeniería eléctrica,
Osciladores,
Teoría de circuitos,
Mediciones eléctricas,
Dispositivos de efecto de campo
Keyword: Physics and astronomy,
Engineering,
Physics,
Electrical engineering,
Oscillators,
Circuits theory,
Electrical measurements,
Field effect devices
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