Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TIGaS2
Título del documento: Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TIGaS2
Revue: Revista mexicana de física
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000255241
ISSN: 0035-001X
Autores: 1


2
Instituciones: 1Universidad de Los Andes, Facultad de Ciencias, Maracaibo, Zulia. Venezuela
2Universite Pierre et Marie Curie, París. Francia
Año:
Periodo: May
Volumen: 52
Número: 3
Paginación: 167-169
País: México
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Fonones,
Raman
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Phonons,
Raman
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