| Revista: | Revista mexicana de física E |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000339614 |
| ISSN: | 1870-3542 |
| Autores: | Salinas, Oscar H1 Arenas, M.C3 Nicho, M.E4 Hu, Hailin2 |
| Instituciones: | 1Universidad Tecnológica Emiliano Zapata, Emiliano Zapata, Morelos. México 2Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Investigación en Energía, Temixco, Morelos. México 3Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Querétaro. México 4Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas, Cuernavaca, Morelos. México |
| Año: | 2011 |
| Periodo: | Jun |
| Volumen: | 57 |
| Número: | 1 |
| Paginación: | 73-77 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico, descriptivo |
| Resumen en español | En este trabajo se realiza un estudio sistemático de la caracterización eléctrica de heterouniones híbridas con la finalidad de conocer la repetitividad del proceso y la homogeneidad de materiales que se utilizan para preparar dispositivos electrónicos semiconductores para aplicación fotovoltaica. La caracterizacion eléctrica de dispositivos fotovoltaicos se realiza para saber su eficiencia de conversión de energía. Para el análisis sistemático de los resultados eléctricos, se utilizaron técnicas básicas estadísticas y de métodos numéricos para resolver ecuaciones lineales que involucran parámetros eléctricos del dispositivo. Las curvas de ajuste obtenidas a partir de los datos experimentales presentaron un factor de ajuste del 99.9 %, lo que significa un alto nivel de confianza en el modelo. Estas curvas de ajuste fueron combinadas con modelos teóricos para obtener un modelo matemático que describe el comportamiento eléctrico de este tipo de uniones específicas. La relación entre la corriente de corto circuito (JSC) y el voltaje de corto circuito (VOC) con el nivel de irradiancia (Irr) se determinaron con un alto nivel de confianza. Las curvas demuestran que JSC depende linealmente con Irr, mientras que el VOC depende logarítmicamente. Por otro lado, VOC depende logarítmicamente de JSC. La respuesta fovoltaica fue analizada a 23, 40, 124 y 285 mW/cm2 de nivel de irradiancia. Se utilizaron filtros de 400 a 689 nm de longitud de onda y una lámpara de halógeno de 100 Watts para obtener la respuesta espectral. La máxima eficiencia de conversión de fotones incidentes (IPCE) se determine) experimentalmente en 2.75 eV de energía de los fotones, valor que corresponde con el ancho de banda prohibida del material semiconductor inorgánico. Los resultados obtenidos concuerdan con los conceptos teóricos básicos de dispositivos fotovoltaicos |
| Resumen en inglés | Electrical characterization study of hybrid heterojunctions (HHJs) based on CdS and poly(3octylthiophene) (P3OT) is performed in order to know the process repeatability and materials homogeneity that may influence on power conversion efficiency (PCE) of CdS/P3OT photovoltaic (PV) solar cells. Basic statistical and numerical techniques for solving linear equations were used for systematic analysis of PV performance of those HJs. Adjustment curves were calculated from experimental data with the adjustment factor equal to almost 99.9 %, which means that the model has a high confidence level. They also were combined with theoretical models to establish a mathematical model that can describe the electrical performance of the mentioned junctions. PV response was analyzed under different illumination conditions, 23, 40, 124 and 285 mW/cm2 of Irr level. The relationships between short circuit current (JSC) and open circuit voltage (VOC) with irradiance level (Irr) were determined with high confidence level too. The dependence of JSC on Irr is linear, whereas VOC depends logarithmically on Irr and on JSC. For spectral response a 100 Watts halogen lamp and light filters from 400 nm to 689 nm of wavelength were used. The maximum incident photon converted to electron efficiency (IPCE) was experimentally determined at 2.75 eV of photon energy. This value corresponds to the optical forbidden gap of the inorganic semiconductor material. The obtained results are in agreement with the theoretical concepts of PV devices |
| Disciplinas: | Física y astronomía, Educación, Ingeniería |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Educación superior, Ingeniería eléctrica, Efecto fotovoltaico, Corriente a corto circuito, Voltaje a circuito abierto, Irradiancia |
| Keyword: | Physics and astronomy, Education, Engineering, Condensed matter physics, Higher education, Electrical engineering, Photovoltaic effect, Short circuit current, Open circuit voltage, Irradiance |
| Texto completo: | Texto completo (Ver PDF) |
