| Revue: | Memoria Electro - Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000274438 |
| ISSN: | 1405-2172 |
| Autores: | Sánchez, A. Claudio1 Li, J. M2 Calleja, Hugo |
| Instituciones: | 1Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico, Cuernavaca, Morelos. México 2Technopole Marseille Provence a Chateau-Gombert, Marseille, Bouches-du-Rhone. Francia |
| Año: | 1996 |
| Periodo: | Oct |
| Volumen: | 18 |
| Paginación: | 318-324 |
| País: | México |
| Idioma: | Español |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en español | Este trabajo presenta un estudio del comportamiento del Transistor Bipolar a Grilla Aislada (IGBT) en comunicación suave en modo tristor-diode. Un nuevo concepto de modelado "suave" de dispositivos electrónicos de potencia capaz de dar las informaciones internas del semiconductor inaccesibles por la vía experimental, por ejemplo: el estado de cargas Q, repartición de corrientes MOS y bipolar, tensiones. El modelado "suave" del IGBT es un compromiso entre los modelos simples tales como los interruptores ideales y los modelos muy complejos dedicados al diseño de componentes. los resultados de simulación, usando este modelo, se aplicarán al estudio de los casos de conmutación suave en cero de corriente en modo tristor diodo |
| Resumen en inglés | This work presents a study of Insulated Gate Bipolar transistor (IGBT) behavior in soft switching ZC thrystor-diode modes: A new concept of soft modeling of power electronics devices is proposed given knowledge of the semiconductor not accesing by experimental means. For example charges Q, MOS and bipolar currents distribution, voltages. A simple analytical model (soft modeling) takinf into account the essential physical phenomena has been developed for IGBT, as a compromise between the ideal switch and complexes models applied to components design. Simulation results with soft modeling will be applied to study commutation behavior at zero current |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería electrónica, Transistores, Modelado, Simulación, Análisis conductual, Corriente cero |
| Keyword: | Engineering, Electronic engineering, Transistors, Modeling, Simulation, Behavior analysis, Zero current |
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