| Revue: | Journal of the Mexican Chemical Society |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000414731 |
| ISSN: | 1870-249X |
| Autores: | Ambriz Vargas, F1 Zamorano Ulloa, R3 Romero Serrano, A2 Ortiz Landeros, J2 Crespo Villegas, J2 Ramírez Rosales, D3 Gómez Yáñez, C2 |
| Instituciones: | 1Centre National de la Recherche Scientifique, Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, Varennes, Quebec. Canadá 2Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas, Ciudad de México. México 3Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Física y Matemáticas, Ciudad de México. México |
| Año: | 2017 |
| Periodo: | Oct-Dic |
| Volumen: | 61 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 317-325 |
| País: | México |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en español | En el presente trabajo se estudia la química de defectos del Bi4Ti3O12 a temperatura ambiente, haciendo énfasis en el efecto de los defectos puntuales sobre las propiedades ferroelectricas. Mediciones de conductividad eléctrica, permitividad dieléctrica, perdida dieléctrica, caracterización estructural y resonancia de spin electrónico fueron utilizadas para demostrar la existencia de diferentes defectos puntuales. Titanato de Bismuto puro y dopado con niobio fueron sintetizados a partir del método convencional “Reacción del estado sólido”. El análisis de refinamiento de Rietveld reveló la formación de vacancias de bismuto al igual que la formación de átomos de niobio en los sitios atómicos del titanio, mientras que las mediciones de resonancia de spin electrónico revelaron señales asociadas a impurezas de hierro. El presente comunicado soporta mecanismos de compensación dominados por la presencia de electrones libres y vacancias de bismuto |
| Resumen en inglés | The present work shows the defect chemistry at room temperature of Bi4Ti3O12, emphasizing the effect of point defects on the ferroelectric properties. Electrical measurements of conductivity, dielectric permittivity and dielectric loss as well as structural characterization and Electron Spin Resonance (ESR) were used to deduce the existence of different point defects. Pure and Niobium doped bismuth titanate ceramic were prepared by a conventional solid state reaction technique. Rietveld refinement analysis suggested that niobium atoms occupy the titanium lattice sites and the presence of bismuth vacancies. Electron Spin Resonance measurements showed signals that are associated to iron impurities. The present communication supports the models of compensation mechanisms dominated by free electrons and bismuth vacancies |
| Disciplinas: | Química, Ingeniería |
| Palabras clave: | Ingeniería química, Electroquímica, Cerámica, Dopaje, Niobio, Titanato de bismuto, Propiedades dieléctricas, Propiedades ferroeléctricas, Defectos puntuales |
| Keyword: | Chemistry, Engineering, Chemical engineering, Electrochemistry, Ceramics, Doping, Niobium, Bismuth titanate, Dielectric properties, Ferroelectric properties, Point defects |
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