| Revue: | Journal of the Brazilian Chemical Society |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000311140 |
| ISSN: | 0103-5053 |
| Autores: | D'Alkaine, Carlos V1 Tulio, Paulo C Brito, Gilberto A.O Salvador, Jose A2 |
| Instituciones: | 1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Quimica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil 2Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Matematica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil |
| Año: | 2002 |
| Periodo: | Ago |
| Volumen: | 13 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 535-539 |
| País: | Brasil |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Experimental, aplicado |
| Resumen en inglés | Differential equations describing the evolution of defect concentrations inside ultra-thin films are developed and numerically resolved for the growth of passivating films under transient galvanostatic conditions. For this, the injection and recombination of defects together with the increase of the film thickness are taken into account. In the simulation, the defect concentrations pass through a maximum during the growth and increase with the current, becoming independent of it for higher values. To obtain reasonable values of defect concentrations the work shows the need to consider that only a part of the current is used in defect generation. For the film, the specific ionic resistivity passes through a minimum and the overpotential increases almost linearly with thickness. Analysis of the transients leads to the idea that the recombination rate constant can depend on the current density. All these aspects are analyzed and discussed from a physical point of view |
| Resumen en portugués | Para o caso de crescimentos transientes de filmes de passivação em condições galvanostáticas foram formuladas e resolvidas, por método numérico, equações diferenciais descrevendo a variação das concentrações de defeitos em filmes ultra-finos. Nas equações levou-se em conta a injeção de defeitos, a recombinação de alguns destes e o aumento na espessura do filme. Nos resultados das simulações as concentrações passam por um máximo durante o crescimento, com este máximo aumentando com a corrente e tornando-se independente da mesma para altos valores desta. Para que se obtenham valores razoáveis da concentração de defeitos nos filmes, o trabalho mostra que nem toda a corrente deve ser utilizada para a geração de defeitos. Nessas condições, os cálculos mostram que a resistividade iônica específica nos filmes passa por um mínimo com o aumento de sua espessura e o sobrepotencial neles varia quase linearmente com a mesma. A análise dos transientes leva à idéia de que a constante de velocidade de recombinação de defeitos poderia depender da densidade de corrente utilizada. Todos estes dados são analisados e discutidos do ponto de vista físico |
| Disciplinas: | Ingeniería, Química, Matemáticas |
| Palabras clave: | Ingeniería metalúrgica, Matemáticas aplicadas, Electroquímica, Galvanización, Películas de pasivación, Resistividad iónica, Simulación matemática |
| Keyword: | Engineering, Chemistry, Mathematics, Metallurgical engineering, Applied mathematics, Electrochemistry, Galvanization, Passivating films, Ionic resistivity, Mathematical simulation |
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