Doping profile optimization of DDR Si 94 GHZ pulse mode IMPATT diode
Título del documento: Doping profile optimization of DDR Si 94 GHZ pulse mode IMPATT diode
Revista: Instrumentation & development
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000186796
ISSN: 0187-8549
Autores: 1
Instituciones: 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Departamento de Física y Matemáticas, Puebla. México
Año:
Volumen: 3
Número: 10
Paginación: 32-39
País: México
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Ingeniería,
Matemáticas
Palabras clave: Ingeniería de instrumentos,
Matemáticas aplicadas,
Diodo IMPATT,
Sistemas de comunicación,
Modelos matemáticos,
Operación estacionaria,
Semiconductores,
Región milimétrica
Keyword: Engineering,
Mathematics,
Instrumentation engineering,
Applied mathematics,
IMPATT diodes,
Communication systems,
Mathematical models,
Stationary operation,
Semiconductors,
Millimetric region
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