Parametros optimos de transistores mos para el segundo nivel de spice 2-g
Título del documento: Parametros optimos de transistores mos para el segundo nivel de spice 2-g
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000114926
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Central de Investigación Digital, Dep Microelectronica, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 13
Número: 2
Paginación: 11-18
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, descriptivo
Disciplinas: Ingeniería,
Ciencias de la computación
Palabras clave: Ingeniería eléctrica,
Ingeniería electrónica,
Transistores,
MOS,
Parámetros,
Características eléctricas,
Modelos matemáticos
Keyword: Engineering,
Computer science,
Electrical engineering,
Electronic engineering,
Transistors,
Mos,
Parameters,
Electric characteristics,
Mathematical models
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