Extracción de parámetros de transistores MOS a partir de la técnica de optimización
Título del documento: Extracción de parámetros de transistores MOS a partir de la técnica de optimización
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000099178
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Nacional de Sistemas Automatizados y Técnicas en Computación, Departamento de Ciencia y Técnica, La Habana. Cuba
Año:
Volumen: 10
Número: 2
Paginación: 136-142
País: Cuba
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, analítico
Disciplinas: Ciencias de la computación,
Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería electrónica,
Transistores,
Circuitos integrados,
MOS
Keyword: Computer science,
Engineering,
Electronic engineering,
Transistors,
Integrated circuits,
Mos
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