El oxido de campo en las estructuras mos
Título del documento: El oxido de campo en las estructuras mos
Revista: Ingeniería electrónica, automática y comunicaciones
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000051320
ISSN: 0258-5944
Autores: 1
Instituciones: 1Instituto Superior Politécnico "José Antonio Echeverría", Fac Electronica, La Habana. Cuba
Año:
Periodo: Jul
Volumen: 2
Número: 2
Paginación: 222-228
País: Cuba
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Ingeniería electrónica,
MOS,
Semiconductores,
Oxido de silicio,
Transistores
Keyword: Engineering,
Electronic engineering,
Materials engineering,
Mos,
Semiconductors,
Silicon oxide,
Transistors
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