Efectos estructurales en el semiconductor InSb, por la aplicación de diferentes métodos de presión



Título del documento: Efectos estructurales en el semiconductor InSb, por la aplicación de diferentes métodos de presión
Revue: Dyna (Medellín)
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000405339
ISSN: 0012-7353
Autores: 1
1
2
Instituciones: 1Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia
2Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
Año:
Periodo: Oct
Volumen: 79
Número: 175
Paginación: 137-141
País: Colombia
Idioma: Español
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Experimental, aplicado
Resumen en español En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el Antimoneto de Indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio
Resumen en inglés This paper studies the modifications suffered by the Indium Antimonnide (InSb), grown in the [100], when subjected to mechanical tests of micro-indentations, high hydrostatic pressure and pressure impact. Tomographic surveying and samples were made by micro-Raman spectroscopy with different wavelengths of excitation light. The shift of the position of the phonons and the emergence of new Raman peaks allow both chemical and structural analysis of the system
Disciplinas: Ingeniería
Palabras clave: Ingeniería de materiales,
Semiconductores,
Antimoniato de indio,
Indentación mecánica,
Presión hidrostática,
Presión por impacto,
Transformación estructural de fase
Keyword: Engineering,
Materials engineering,
Semiconductors,
Indium antimonnide,
Mechanical indentation,
Hydrostatic pressure,
Impact pressure,
Structural phase transition
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