Isotopic tracing of oxigen during thermal growth of thin films of SiO2 on Si in dry O2
Título del documento: Isotopic tracing of oxigen during thermal growth of thin films of SiO2 on Si in dry O2
Revue: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000132009
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Universite de Paris VII (Denis Diderot), Groupe Physique Solides, París. Francia
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 27
Número: 2
Paginación: 293-301
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Películas delgadas,
Silicio,
Oxígeno,
Dieléctricos,
Interfaces
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Thin films,
Silicon,
Oxygen,
Dielectrics,
Interface
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