| Revue: | Brazilian journal of physics |
| Base de datos: | PERIÓDICA |
| Número de sistema: | 000158921 |
| ISSN: | 0103-9733 |
| Autores: | Wang, H1 Farias, G.A Freire, V.N |
| Instituciones: | 1Universidade Federal do Ceara, Departamento de Física, Fortaleza, Ceara. Brasil |
| Año: | 1999 |
| Periodo: | Dic |
| Volumen: | 29 |
| Número: | 4 |
| Paginación: | 670-674 |
| País: | Brasil |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Enfoque: | Analítico |
| Resumen en inglés | We investigate the con.nement properties of GaN/AlxGa1-xN zincblende and wurtzite nonabrupt quantum wells (QWs) in an electric field. It is shown that their Stark shifts decrease considerably when the existence of nonabrupt interfaces are considered. Confined excitons in 50 Å wide GaN/Al0.3Ga0.7N zincblende and wurtzite quantum wells (QWs) can exist up to electric field intensities of the order of 500 kV/cm. In all cases, the electric field effects in GaN/AlxGa1-xN wurtzite QWs are stronger than in similar zincblende QWs |
| Disciplinas: | Física y astronomía |
| Palabras clave: | Física de materia condensada, Semiconductores, Pozos cuánticos, Efectos de campo eléctrico, Propiedades de confinamiento, Zincblenda, Wurtzita |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Semiconductors, Quantum wells, Electric field effects, Confinement properties, Zincblende, Wurtzite |
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