Defects , impurities and doping levels in wide - band - gap semiconductors
Título del documento: Defects , impurities and doping levels in wide - band - gap semiconductors
Revue: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000017504
ISSN: 0103-9733
Autores: 1
Instituciones: 1Xerox Palo Alto Research Ctr, Palo Alto, California. Estados Unidos de América
Año:
Periodo: Mar
Volumen: 26
Número: 1
Paginación: 163-166
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplinas: Física y astronomía
Palabras clave: Física de materia condensada,
Dopaje,
Defectos,
Impurezas,
Semiconductores
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Doping,
Defects,
Impurities,
Semiconductors
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