Quantum well electro - optic effects and novel device applications
Zucker, J.E^1
1Bell Laboratories, Holmdel, New Jersey. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 128-136]

Quantum wires and quantum dots in heterojunction devices with field - effect electrodes
Hansen, W¹; Drexler, H; Schmerek, D
¹Ludwig Maximilian University of Munich, Munich, Baviera. Alemania
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 110-122]

Remarks on the role of excitonic renormalization in the metal-insulator transition
Troper, A¹; Japiassu, G.M²; Continentino, M.A^3
1Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientifico e Tecnologico, Centro Brasileiro de Pesquisas Fisicas, Rio de Janeiro. Brasil; ²Universidade Federal Fluminense, Instituto de Fisica, Niteroi, Rio de Janeiro. Brasil; ³Universidade Federal do Rio de Janeiro, Instituto de Fisica, Rio de Janeiro. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 205-210]

Resonant tunneling of electrons in asymmetric double quantum wells under crossed electric and magnetic fields
Chitta, V.A¹; Souza, M.A.R^2
1Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 289-293]

Room - temperature photoluminescence measurements in inp - ingaas single asymmetric quantum well
Cox, H.M¹; Morais, P.C; Cardoso, A.J.C
¹Universidade de Brasilia, Instituto de Física, Brasilia, Distrito Federal. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 249-251]

Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices
Henriques, A.B¹; Goncalves, L.C.D¹; Souza, P.L²; Yavich, B^2
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil; ²Pontificia Universidade Catolica do Rio de Janeiro, Centro de Estudos em Telecomunicacoes, Rio de Janeiro. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 327-332]

Second order resonant raman scattering
Cantarero, A¹; Trallero Giner, C; Garcia Cristobal, A
¹Universidad de Valencia, Dep Fisica Aplicada, Valencia. España; ²Instituto Politécnico Nacional, Dep Fisica Aplicada, Mérida, Yucatán. México
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 182-186]

Self - consistent calculation of the electronic properties of quantum well wires
Leao, S.A¹; Degani, M.H^2
1Universidade Sao Francisco, Departamento de Física, Itatiba, Sao Paulo. Brasil; ²Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 337-340]

Shear friction and elastic breakdown of strained layers
Granato, E¹; Baldan, M.R
¹Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratorio Associado de Sensores e Materiais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 280-282]

Spin - orbit splitting in the conduction subband of semiconductor asymmetric heterostructures
Silva, E.A.A^1
1Instituto de Pesquisas Espaciais, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 144-150]

Stability and electronic structure of superlattices (iiiv)n/(iv2)n
Ferraz, A.C¹; Casagrande, D
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 381-387]

Study of surface kinetic effects in the mbe growth of iii-v compounds by rheed analysis
Basmaji, P¹; Lubyshev, D.I; Lubysheva, T.B; Marega-junior, E; La Scala-junior, N; González Borrero, P.P
¹Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 259-262]

Surface exciton polariton spectrum in semiconductor superlattices
Fulco, P¹; Albuquerque, E.L
¹Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Física, Natal, Rio Grande do Norte. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 214-218]

The almost - magical world of photonic crystals
Joannopoulos, J.D^1
1Massachusetts Institute of Technology, Dept Physics, Cambridge, Massachusetts. Estados Unidos de América
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 58-67]

The development of concepts in light - emitting devices
Weisbuch, C^1
1Ecole Polytechnique, Dept Physique, Palaiseau, Essonne. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 21-42]

The electronic properties and applications of quantum wells and superlattices of iii-v narrow gap semiconductors
Stradling, R.A^1
1Imperial College, Londres. Reino Unido
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 7-20]

The interaction of atoms with GaAs [110] surface using local softness model
Fazzio, A¹; Piquini, P²; Pino-Junior, A. dal^3
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil; ²Instituto Tecnologico de Aeronautica, Sao Jose dos Campos, Sao Paulo. Brasil; ³Escola Federal de Engenharia de Itajuba, Itajuba, Minas Gerais. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 277-279]

Theory of the spin relaxation of photoexcited carriers in doped gaas quantum wells
Maialle, M.Z^1
1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 245-248]

Time and space resolved spectroscopy of single semiconductor quantum dots
Heller, W¹; Filoramo, A; Roussignol, P; Bockelmann, U
¹Ecole Normale Superieure, Lab Physique Matiere Condensee, París. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1996 Vol. 26 Núm. 1 Mar, Pág. 95-99]

Acceleration of quantum fields
Reynaud S¹; Jaekel Mt
¹Ecole Normale Superieure, Lab Physique Theorique, París. Francia
[Brazilian journal of physics, Brasil, 1995 Vol. 25 Núm. 4 Dic, Pág. 315-323]