Evaluación de las propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 en una solución ácida diluida
Título del documento: Evaluación de las propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 en una solución ácida diluida
Revue: Anales AFA
Base de datos:
Número de sistema: 000544886
ISSN: 1850-1168
Autores: 1
2
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Instituciones: 1Universidad Nacional de Catamarca, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Catamarca. Argentina
2CONICET-UNC, Instituto de Física Enrique Gaviola de Córdoba,
Año:
Periodo: Jun
Volumen: 28
Número: 2
Paginación: 45-49
País: Argentina
Idioma: Español
Resumen en español El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4. Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 10(22) cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados.
Resumen en inglés The spontaneously formed TiO2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 10(22) cm-3. From this result the oxide films have proved to have n-type semiconductor characteristics.
Palabras clave: Dióxido de titanio,
Anodización,
Mott-Schottky
Keyword: Titanium dioxide,
Anodization,
Mott-Schottky
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