Revista: | Revista brasileira de ensino de fisica |
Base de datos: | PERIÓDICA |
Número de sistema: | 000314954 |
ISSN: | 0102-4744 |
Autores: | Amato, M.A1 |
Instituciones: | 1Universidade de Brasilia, Instituto de Fisica, Brasilia, Distrito Federal. Brasil |
Año: | 2002 |
Periodo: | Dic |
Volumen: | 24 |
Número: | 4 |
Paginación: | 379-382 |
País: | Brasil |
Idioma: | Inglés |
Tipo de documento: | Artículo |
Enfoque: | Analítico, descriptivo |
Resumen en inglés | It is presented a simple model for the calculation of the transition rate for impurities in semiconductors in which electron-phonon interaction is taken into account in a second order time dependent perturbation theory. This result shows the explicit dependence of the transition rate on the phonon density of states and that the absorption curve of a semiconductor is modulated by the phonon structure |
Disciplinas: | Física y astronomía |
Palabras clave: | Física, Semiconductores, Razones de transición |
Keyword: | Physics and astronomy, Physics, Semiconductors, Transition rates |
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