| Journal: | Revista mexicana de física |
| Database: | PERIÓDICA |
| System number: | 000381201 |
| ISSN: | 0035-001X |
| Authors: | Otálora, D.M1 Olaya Flórez, Jhon Jairo2 Dussan, A1 |
| Institutions: | 1Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física, Bogotá. Colombia 2Universidad Nacional de Colombia, Facultad de Ingeniería, Bogotá. Colombia |
| Year: | 2015 |
| Season: | Mar-Abr |
| Volumen: | 61 |
| Number: | 2 |
| Pages: | 105-111 |
| Country: | México |
| Language: | Inglés |
| Document type: | Artículo |
| Approach: | Analítico, descriptivo |
| Spanish abstract | En este trabajo, se fabricaron películas delgadas de Bismuto (Bi) y (Oxido de Bismuto (Bi2O3) a temperatura ambiente mediante la técnica de Sputtering con Magnetron Desbalanceado (UBM - UnBalance Magnetron) sobre sustratos de vidrio. Las propiedades microestructurales y eléctricas de las muestras fueron estudiadas mediante difracción de rayos X (XRD) y el método para Medición de Propiedades Físicas - PPMS (Physical Property Measurement System), respectivamente. La resistividad a oscuras del material fue medida para un rango de temperaturas entre 100 y 400 K. A partir de las medidas de XRD se observe) el carácter policristalino del Bi asociado a la presencia de fases por encima del pico principal, 2θ=26.42° y un crecimiento gobernado por una estructura Romboédrica. Los parámetros cristalinos fueron obtenidos para ambos compuestos de Bi y Bi2O3. A partir de los análisis de los espectros de la conductividad en función de la temperatura se estableció que el mecanismo de transporte que gobierna la región de altas temperaturas (T>300 K) es el de portadores térmicamente activados. A partir de las medidas de conductividad se encontró que las energías de activación para el Bi2O3 y Bi fueron de 0.0094 y 0.015 eV, respectivamente |
| English abstract | In this work, bismuth (Bi) and bismuth oxide (Bi2O3) thin films were prepared, at room temperature, by Sputtering Unbalanced Magnetron (UBM - Unbalance Magnetron) technique under glass substrates. Microstructural and electrical properties of the samples were studied by X-ray diffraction (XRD) and System for Measuring Physical Properties - PPMS (Physical Property Measurement System). Dark resistivity of the material was measured for a temperature range between 100 and 400 K. From the XRD measurements it was observed a polycrystalline character of the Bi associated to the presence of phases above the main peak, 2θ = 26.42° and a growth governed by a rhombohedral structure. Crystal parameters were obtained for both compounds, Bi and Bi2O3. From the analysis of the spectra of the conductivity as a function of temperature, it was established that the transport mechanism that governs the region of high temperature (T>300 K ) is thermally activated carriers. From conductivity measurements the activation energies were obtained of 0.0094 eV and 0.015 eV for Bi2O3 and Bi, respectively |
| Disciplines: | Física y astronomía |
| Keyword: | Física de materia condensada, Bismuto, Oxido de bismuto, Propiedades eléctricas, Propiedades estructurales |
| Keyword: | Physics and astronomy, Condensed matter physics, Bismuth, Bismuth oxide, Electrical properties, Structural properties |
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